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考研专业课学习记录2026-04-25
考研专业课学习记录 | 2026-04-25
今日学习内容
今天专业课学习共计1.5小时,主要围绕计算机组成原理课程的存储器章节进行系统性复盘,梳理了该章节的核心考研考点、易混淆知识点与常见出题题型。
AI知识点带复盘
存储器核心考点复盘
- 存储器层次结构:考研核心考点为Cache-主存-辅存三级存储体系,需掌握层次化设计的核心目的是平衡存储容量、速度与成本,明确各级存储器的特性:Cache为高速缓冲存储器,速度最快、容量最小、成本最高;主存用于CPU直接交互;辅存容量最大、成本最低、速度最慢,作为持久存储介质。
- 主存储器基础:需掌握主存的基本组成(存储体、MAR、MDR),MAR用于存放CPU要访问的主存单元地址,宽度与主存地址空间一致;MDR用于存放读写的数据,宽度与存储字长一致,同时理解CPU与主存的信号交互流程。
- 半导体存储器分类:区分SRAM与DRAM的核心差异:SRAM静态随机存取存储器,无需刷新,速度快,用于Cache;DRAM动态随机存取存储器,需定期刷新,集成度高、成本低,用于主存。重点掌握DRAM的三种刷新方式:
- 集中刷新:在一个刷新周期内集中所有时间刷新所有行,存在死区;
- 分散刷新:将刷新操作穿插在读写周期中,无死区但刷新频率翻倍;
- 异步刷新:结合前两者优点,按行定时刷新,兼顾死区与效率,需掌握刷新周期的计算方法。
- 主存扩展技术:掌握位扩展(增加存储字长)与字扩展(增加存储容量)的实现方法,以及全译码、部分译码、线译码三种译码方式的差异,明确不同译码方式下的地址空间分配问题。
- 高速缓冲存储器(Cache):考研高频考点,需掌握Cache的基本原理(局部性原理)、三种映射方式:
- 直接映射:实现简单,但冲突率高;
- 全相联映射:冲突率低,但硬件成本高,需比较标记;
- 组相联映射:折中方案,需掌握地址划分(主存地址分为标记、组号、块内偏移);同时掌握LRU、FIFO等替换算法,以及写通、写回两种写策略的差异。
- 辅助存储器:掌握硬盘的核心性能参数:平均寻道时间、平均等待时间、数据传输率的计算逻辑。
问题与反思
- 组相联映射中主存地址的组号计算逻辑仍存在混淆,容易混淆组号与标记位的划分边界;
- DRAM三种刷新方式的适用场景与死区计算容易记错,需要结合例题进一步巩固;
- 主存扩展时,位扩展与字扩展的电路连接细节容易混淆,尤其是控制线的分配。
收获与总结
- 梳理清晰了存储器三级层次体系的设计逻辑,明确了不同层级存储器的定位与作用;
- 掌握了SRAM与DRAM的核心差异,能够熟练计算DRAM异步刷新的刷新周期与死区时间;
- 明确了主存扩展的两种方式与译码方式的选择逻辑,能够独立完成简单的主存扩展电路设计;
- 理清了Cache三种映射方式的优缺点与地址划分规则,能够快速完成映射方式的相关计算。
💡 碎碎念:踏实吃透每一个知识点!
文档内容由 AI 辅助生成
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